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    • 發(fā)布時間:2025-06-06 17:55:02
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    mos管的封裝類型介紹
    在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體-場效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,其封裝形式多樣,根據(jù)安裝方式主要分為插入式(ThroughHole)和表面貼裝式(SurfaceMount)兩大類。插入式封裝通過將MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接實(shí)現(xiàn)固定,常見類型包括雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)。
    mos管的封裝
    表面貼裝式則是將MOSFET的管腳及散熱法蘭直接焊接在PCB板表面的焊盤上,典型封裝有晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管(SOT)、小外形封裝(SOP)、方形扁平式封裝(QFP)、塑封有引線芯片載體(PLCC)等。隨著電子技術(shù)的發(fā)展,表面貼裝式封裝因自動化程度高、成本低、體積小等優(yōu)勢,在主板、顯卡等PCB板中的應(yīng)用逐漸增多,而插入式封裝的使用場景相對減少。
    mos管的封裝
    插入式封裝類型
    雙列直插式封裝(DIP)
    DIP封裝具有兩排引腳,需插入到匹配的芯片插座上。其衍生方式SDIP(緊縮雙入線封裝)針腳密度較DIP高6倍。DIP封裝結(jié)構(gòu)多樣,包括多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。其優(yōu)勢在于便于PCB板穿孔焊接,與主板兼容性良好,但因封裝面積和厚度較大,引腳易損壞,可靠性較低,且受工藝限制引腳數(shù)一般不超過100個,在電子產(chǎn)業(yè)高度集成化進(jìn)程中逐漸被替代。
    晶體管外形封裝(TO)
    TO封裝是早期的封裝規(guī)格,常見的插入式封裝設(shè)計包括TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等。其中,TO-3P/247適用于中高壓、大電流MOS管,具有高耐壓、強(qiáng)抗擊穿能力;TO-220/220F外觀相似,可互換使用,TO-220F全塑封裝無需加絕緣墊,TO-220帶金屬片與中間腳相連需加絕緣墊;TO-251主要用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境,旨在降低成本和縮小產(chǎn)品體積;TO-92則多用于低壓MOS管(電流10A以下、耐壓值60V以下)以及高壓1N60/65,以降低成本。近年來,因插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能不如貼片式產(chǎn)品,表面貼裝市場需求不斷增大,TO封裝也發(fā)展出了表面貼裝式封裝TO-252(D-PAK)和TO-263(D2PAK)。
    mos管的封裝
    D-PAK常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片封裝,MOSFET的三個電極柵極(G)、漏極(D)、源極(S)中,漏極(D)引腳被剪斷不用,背面散熱板作漏極(D)直接焊接在PCB上,用于輸出大電流并通過PCB散熱,PCB的D-PAK焊盤有三處,漏極(D)焊盤較大;TO-263是TO-220的變種,旨在提高生產(chǎn)效率和散熱,支持極高電流和電壓,在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為常見,除D2PAK(TO-263AB)外,還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式,主要區(qū)別在于引出腳數(shù)量和距離。
    插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)
    PGA(PinGridArrayPackage)芯片內(nèi)外有多個方陣形的插針,沿芯片四周間隔排列,安裝時插入專門的PGA插座,具有插拔方便、可靠性高、適應(yīng)更高頻率的優(yōu)勢。芯片基板多為陶瓷材質(zhì),部分采用特制塑料樹脂,引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從64到447不等。封裝面積(體積)越小,承受的功耗(性能)越低,反之則越高。早期多見于CPU等大功耗產(chǎn)品封裝,如英特爾的80486、Pentium,但在MOS管廠家中采用較少。
    mos管的封裝
    表面貼裝式封裝類型
    小外形晶體管封裝(SOT)
    SOT(SmallOut-LineTransistor)是貼片型小功率晶體管封裝,主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25(即SOT23-5)等,衍生出SOT323、SOT363/SOT26(即SOT23-6)等類型,體積小于TO封裝。
    mos管的封裝
    SOT23是常見三極管封裝形式,有3條翼形引腳,分別為集電極、發(fā)射極和基極,發(fā)射極和基極在同一側(cè),常見于小功率晶體管、場效應(yīng)管和帶電阻網(wǎng)絡(luò)的復(fù)合晶體管,強(qiáng)度較好但可焊性差;SOT89具有3條短引腳,一側(cè)為金屬散熱片與基極相連,增加散熱能力,適用于較高功率場合;SOT143具有4條翼形短引腳,從兩側(cè)引出,寬度偏大的一端為集電極,常見于高頻晶體管;SOT252屬于大功率晶體管,3條引腳從一側(cè)引出,中間一條引腳較短為集電極,與另一端較大的引腳相連,該引腳為散熱作用的銅片。
    mos管的封裝
    小外形封裝(SOP)
    SOP(SmallOut-LinePackage)是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形),材料有塑料和陶瓷兩種。標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等,數(shù)字表示引腳數(shù),MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格,常簡寫為SO。SO-8由PHILIP公司率先開發(fā),采用塑料封裝,無散熱底板,散熱效果一般,用于小功率MOSFET。后續(xù)衍生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
    mos管的封裝
    方形扁平式封裝(QFP)
    QFP(PlasticQuadFlatPackage)封裝芯片引腳間距離很小,管腳很細(xì),適用于大規(guī)?;虺笮图呻娐罚_數(shù)一般在100個以上。需采用SMT表面安裝技術(shù)與主板焊接。其特點(diǎn)包括適用于SMD表面安裝技術(shù)在PCB電路板上安裝布線、適合高頻使用、操作方便可靠性高、芯片面積與封裝面積比值較小。但因芯片被包裹在塑封體內(nèi),散熱性差,制約MOSFET性能提升,且塑封增加了器件尺寸,生產(chǎn)效率低、封裝成本高,因此更適于微處理器/門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路及VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路產(chǎn)品封裝。
    四邊無引線扁平封裝(QFN)
    QFN(QuadFlatNon-leadedpackage)封裝四邊配置電極接點(diǎn),無引線,貼裝面積比QFP小、高度比QFP低。陶瓷QFN也稱LCC(LeadlessChipCarriers),低成本塑料QFN則稱塑料LCC、PCLC、P-LCC等。是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù),主要用于集成電路封裝,MOSFET一般不采用,但因Intel推出整合驅(qū)動與MOSFET方案,出現(xiàn)了采用QFN-56封裝的DrMOS。QFN封裝與TSSOP外引線配置相同,尺寸卻比TSSOP小62%,熱性能比TSSOP提高55%,電性能(電感和電容)分別提高60%和30%,但返修難度高。
    mos管的封裝
    DrMOS經(jīng)QFN-56封裝后熱阻抗低,借助內(nèi)部引線鍵合及銅夾帶設(shè)計,減少外部PCB布線,降低電感和電阻,采用深溝道硅MOSFET工藝降低損耗,兼容多種控制器,支持不同工作模式。
    塑封有引線芯片載體(PLCC)
    PLCC(PlasticQuadFlatPackage)外形呈正方形,尺寸比DIP封裝小得多,有32個引腳,四周都有管腳,呈丁字形,是塑料制品。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從18到84不等,J形引腳不易變形,比QFP容易操作,但焊接后外觀檢查困難。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點(diǎn),常見于邏輯LSI、DLD等電路,主板BIOS常采用此封裝形式,但在MOS管中較少應(yīng)用。
    mos管的封裝
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